金信實(shí)業(yè)(深圳)有限公司
這兩款適配器，看似體積以及外形都差別不大，但是從原理出發(fā)確是天壤之別。今天，我們從原理出發(fā)剖析市面上氮化鎵的功能以及參數(shù)。
右側(cè)為氮化鎵脫掉外衣的樣子，那么！氮化鎵氮化鎵！到底是哪個(gè)電子元器件添加了氮化鎵呢？ 下圖是充電器的主要電子元器件。
其實(shí)充電電子元器件里面，是晶體管里面添加了氮化鎵，而其他元器件均是常規(guī)電子件。
這里的晶體管是指MOSFET,半導(dǎo)體場(chǎng)效益晶體管。
而氮化鎵晶體管與普通晶體管類(lèi)似！底層也是純凈硅基，只是在中間添加了氮化鎵與氮化鋁鎵！為電子建設(shè)了高速通道
普通場(chǎng)效應(yīng)管
那么！增加了這么一層氮化鎵以及氮化鋁鎵，相對(duì)于普通場(chǎng)效應(yīng)管，又有哪些變化呢？
一，更高的擊穿強(qiáng)度
二，更快的開(kāi)關(guān)頻率
三，更低的導(dǎo)通電阻
四，更高的導(dǎo)熱系數(shù)
上圖為氮化鎵與純凈硅的參考對(duì)比系數(shù)
1. 禁帶寬度，意思是當(dāng)硅的電子需要逃離共價(jià)鍵時(shí)需1.12EV的能量，而淺顯意見(jiàn)，氮化鎵的電子逃逸所需能量就需要3.42VE。所以才有第三列，擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，氮化鎵的擊穿電壓值是純凈硅的11倍
2. 電子遷移率：由表格可以看出氮化鎵的電子遷移率比硅的要高很多，而這里的電子遷移率意思是在一定電壓，單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)物體的電子數(shù)量。所以氮化鎵的開(kāi)關(guān)速率就會(huì)更快，反應(yīng)更加靈敏。
3. 熱導(dǎo)率就可以通俗易懂的理解為散熱的快慢
如此多的優(yōu)點(diǎn)集一身的氮化鎵所以才會(huì)使得充電能夠更加高效，快捷，且安全。
那么將氮化鎵適配器與擴(kuò)展塢進(jìn)行結(jié)合呢？會(huì)迸發(fā)出怎樣的一個(gè)產(chǎn)品？
其實(shí)市面上早已有人先吃螃蟹
如圖！在沒(méi)有協(xié)議IC的情況下，氮化鎵擴(kuò)展塢直接將功率沖到30W，簡(jiǎn)化了線路的同時(shí)也控制了成本 而在下圖可以看到，適配器上有一個(gè)全功能C口，一個(gè)USB3.0A口，一個(gè)HDMI口 雖然說(shuō)此圖片上的產(chǎn)品沒(méi)有HUB功能，但是也是為了控制適配器大小，如果還需要增加插口的話就需要用到HUB芯片。 解釋一下為何此產(chǎn)品沒(méi)有用HUB芯片
由于HDMI信號(hào)無(wú)需經(jīng)過(guò)HUB芯片進(jìn)行擴(kuò)展以及控制，端子直接2 lenTX/RX,SBU1/SBU2與C口連接，如果對(duì)于分辨率有極高的要求，可4 len與口連接，而關(guān)于芯片工作電壓?jiǎn)栴}可添加一顆DCDC進(jìn)行降壓處理，給HDMI轉(zhuǎn)換芯片進(jìn)行電壓供應(yīng)，而USB3.0A口與C口D+/D-進(jìn)行連接,所以此產(chǎn)品無(wú)需HUB芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)復(fù)制擴(kuò)展。
